姐妹花 porn 6G芯片，出现冲突

（原标题：6G芯片姐妹花 porn，出现冲突）

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太赫兹波被以为是一种弘远的用具，不错在潜在的 6G 收聚首快速传输多半数据，并像 X 射线相似穿透固体物资——而且莫得危急的电离发射。然而，事实证据，将这些思法确凿付诸扩充格外贵重。当今，一个酌量小组暗示，他们正在哄骗一种不错将弘远的太赫兹波放在芯片上的缔造，让太赫兹梦思更接近现实。

太赫兹波位于微波和远红外光之间电磁波谱中被淡薄的部分，时时在 0.1 到 10 太赫兹的范围内。除了随机穿透很多材料除外，太赫兹波的频率比无线电波更高，这使得它们随机传输更多信息。太赫兹波的污点是哄骗它们的物理要求具有挑战性。它们很快就会被空气中的水蒸气接纳，在铜等常用的电子材料中会损耗，而且产生这些频率的方法时时很大或只不错低功率产生它们。

由于硅和空气的介电常数不同，在芯片中产生太赫兹波时，这个问题就很彰着了。介电常数是指材料鸠集电场的本事。当波遭受介电常数不同的材料范围时，一部分波会被反射，一部分会被透射。材料之间的对比度越大，反射越大。硅的介电常数为 11.9，远高于空气 (1)，因此，太赫兹波会在硅和空气的界面处反射。这会导致严重的信号亏蚀。

一种处分方法是在芯片上扬弃硅透镜以增强发射功率，使太赫兹信号传播得更远，但这些透镜价钱崇高，何况可能比芯片自己还要大。

哄骗图案化薄片增强太赫兹波

为了克服这一罢了，麻省理工学院的酌量东说念主员接受了不同的方法。他们莫得使用透镜，而是在芯片后面贴上一种稀奇图案的薄片，以增强电磁波从硅到空气的传输。薄片上有很多孔，一部分是硅，一部分是空气，介电常数介于硅和空气之间，使大多数波不错透射而不是反射。酌量东说念主员终昭彰他们所说的比现存缔造更高的发射功率，而且莫得使用硅透镜。

在 2 月底于旧金山举行的IEEE 国外固态电路会议上姐妹花 porn，该团队在论文和幻灯片中抽象了太赫兹发射器缔造何如整合片上放大器-倍增器链阵列、倍增器和宽带蝴蝶结形槽线天线。悉数这些加起来造成了一个可产生 232 至 260 千兆赫发射的系统。

除了介电片除外，该芯片还接受了高功率英特尔晶体管，击穿电压为 6.3 伏，最大频率为 290 GHz，高于传统CMOS晶体管。该团队称，该芯片安设在一块 51 x 40 毫米的印刷电路板上，介电匹配片自满在后面，测得的峰值发射功率为 11.1 分贝毫瓦，高于 200 至 300 GHz 频段的同类缔造。

麻省理工学院电气工程与蓄意机科学系酌量生暗示，介电片并不是一个新见识，但 CMOS 太赫兹源是其应用的理思场景。

该发射器本钱低，可大限度坐褥。潜在的应用领域包括高鉴别率雷达成像、宽带无线传输和更好的医学成像。

“主要挑战是温度和电流密度料理。现时，电路在相对顶点的要求下源流，这裁减了晶体管的寿命，”他说。

“此外，淌若咱们将系统限度扩大到大型 CMOS 阵列，热料理将成为一个要道问题，”他补充说念。“这需要更细致的散热器和电扇想象。不外，咱们展望这些挑战不错在异日两到四年内获得有用处分。”

天天好逼

加州大学洛杉矶分校电气与蓄意机工程学西席莫娜·贾拉希 (Mona Jarrahi)固然未参与这项酌量，但她称这是高频电子领域的“一项冲突性竖立”。

Jarrahi 暗示：“这一权贵超过不仅冲突了太赫兹领域 CMOS 时间的极限，而且还终昭彰高输出功率、低本钱和紧凑集成的空前组合。”

“将这种出色的性能扩张到更高的太赫兹频率仍然是很多酌量东说念主员正在顶住的挑战。晶体管的截止频率、器件寄生和互连损耗等物理罢了是更高频率操作的主要制约成分。”

https://spectrum.ieee.org/terahertz-waves

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